Großgeräte
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Aufdampfen - Leybold LAB500plus
Das Aufdampfen ist ein Beschichtungsverfahren mit dem unterschiedliche Werkstoffe wie Leiter, Isolatoren, oder Legierungen abgeschieden werden können. Zur Schichtherstellung wird eine Aufdampfanlage der Firma Leybold Optics vom Typ LAB500plus verwendet. Die Anlage verfügt sowohl über einen Elektronenstrahlverdampfer als auch einen thermischen Verdampfer.
Technische Details
- Beschichtung von 4“-Substraten
- Abscheidbare Materialien: Pt, Cr, Cu, SiO2, Al2O3, Weitere nach Absprache
- Probengröße 8"
- Schreibgeschwindigkeit 1cm²/h
- Beschleunigung 50kV
- Minimale Strukturgröße 8 nm
- Verdampfungsverfahren:
- Elektronenstrahlverdampfen
- Thermisches Verdampfen
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Folke Dencker, dencker@impt.uni-hannover.de
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Cluster und Speicher: LUMEN
Der Cluster und Storage "Leibniz University Mechanical Engineering Nodes" (LUMEN) wird seit 2022 an der Fakultät für Maschinenbau der Leibniz Universität Hannover (LUH) am Campus Maschinenbau Garbsen (CMG) zusätzlich zu den Rechenressourcen der LUH betrieben. Der Cluster ist dabei auf die Standorte Leibniz Universität IT-Service und CMG aufgeteilt. Die Infrastruktur hat alte Cluster der Fakultät abgelöst. Dadurch konnte eine erhebliche Energieeffizienzsteigerung erreicht werden.
Der Cluster und Storage ermöglicht daher in Zukunft den Wandel in den Natur- und Ingenieurwissenschaften zu immer komplexeren Simulationen, der Notwendigkeit zum massiven Parallelrechnen, dem immer größeren Datenaufkommen und dem notwendigen cross-disziplinären Datenaustausch durch die Forschung in den Bereichen von "Industrie 4.0", "Big Data" und Künstlicher Intelligenz (KI) Rechnung zu tragen. Die Anlage wurde mit einer EFRE Förderung (EFRE ZW 7-85050947) und im Rahmen des Exzellenzclusters "PhoenixD" erstellt und wird durch die Institute erweitert.
Der Cluster erlaubt den Forschenden auch individuelle Rechenkonfigurationen, direkten Zugang durch die Systemadministratoren der Fakultät und niedrige Latenzzeiten zu Forschungseinrichtungen am CMG zu realisieren. Nutzende der Ressource sind alle Mitarbeitende der LUH, aber vorrangig die Forschende der Fakultät Maschinenbau und des Exzellenzclusters "PhoenixD". Die Nutzung in kommerziellen Projekten der Institute ist im geringen Umfang und zur Förderung der Region möglich.
Technische Daten - Cluster
- Leistung 320 TeraFLOOPS
- 60 Compute-Nodes mit 2x 32 Kernen und 8GB RAM
- 2 GPU-Nodes NVIDIA Ampere A40 mit 48GB RAM
- 300 TeraByte schneller Speicher (Bigwork)
Technische Daten - Storage
- 1 PetaByte Speicher bestehend aus SAS und SATA-HDD
- Anbindung an Organisations-AD
- Sicherung der Daten durch Synchronisation mit einem zweiten Standort
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Björn Niemann, bjoern.niemann@ita.uni-hannover.de
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Direct-write lithography system - DWL 66+
Am Institut für Mikroproduktionstechnik steht die Anlage DWL66+ von der Firma Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH für die Laserdirektbelichtung zur Verfügung. Hiermit können Substrate mit Kantenlängen bis 9“ belichtet und Strukturauflösungen bis 300 nm erzielt werden. Im Funktionsumfang ist ebenfalls die Grautonbelichtung mit bis zu 1000 Abstufungen integriert, um 2,5-dimensionale Strukturen zu erzeugen.
Technische Details
- Minimale Strukturgröße: 0,3 µm (2 mm Schreibmodus) bzw. 1 µm (10 mm Schreibmodus)
- Schreibgeschwindigkeit: 3 mm2/min (2 mm Schreibmodus) bzw. 150 mm2/min (10 mm Schreibmodus)
- Wellenlänge Diodenlaser: 405 nm
- Maximale Substratdicke:12 mm
- Maximale Belichtungsfläche: 200 x 200 mm2
- Echtzeitautofokus:optisch oder pneumatisch
- Rückseitenjustage
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Folke Dencker, dencker@impt.uni-hannover.de
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Druck- und Beschichtungsanlage: NSM Challenger 650
- Bearbeitungs- und Substratgröße: 150x200 mm
- Substratstärke bis zu 5 cm
- Starre Substratfixierung mit Metapor Vakuumchuck
- Linearantrieb für Substrat 6 m Länge, < 10 µm Wiederholgenauigkeit
- Kamerabasiertes Substratalignment
- TSE-Troller Slot-Die Coating Einheit
- Zwei Kombidruckwerke: Flexodruck, Tiefdruck (direkt/indirekt), Lamination
- Feinjustierbare Druckwerkzustellungen < 1 µm
- GEW-Quecksilberdampflampe zur UV-Härtung
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Andreas Evertz, andreas.evertz@ita.uni-hannover.de
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Einkristall-Diamant MWCVD
SEKI SDS6370: bis zu 2", Gase CH4, H2, O2, N2, in situ Pyrometer und Interferometer, zusätzlicher UHV-Turbo-Pumpensatz, Heizstufe
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Einstein-Elevator
Bei dem Forschungsgroßgerät Einstein-Elevator handelt es sich um die Weiterentwicklung eines klassischen Fallturms, mit dem Experimente unter Bedingungen der Schwerelosigkeit und einer hohen Wiederholrate durchgeführt werden. Bei sehr hoher Genauigkeit der Mikrogravitation (< 10-6 g) wirkt sich, neben der höheren Nutzlast von 1.000 kg, vor allem das geringe abzupumpende Vakuumvolumen positiv aus. Mit einer Wiederholrate von bis zu 300 Versuchen pro Tag werden Forschungskampagnen innerhalb kürzester Zeit durchgeführt.
Technische Daten
- Versuchsdauer: 4 s
- Gesamthöhe: 40 m
- Wiederholrate: 300 Versuche pro Tag
- Nutzlast: 1 t
- Größe der Experimente: Ø 1,7 m x 2 m
- Restbeschleunigung: < 10-6 g
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Dr.-Ing. Christoph Lotz, einstein-elevator@hitec.uni-hannover.de
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Faserziehturm
OFC20SF Specialty Fiber Draw Tower, Rosendahl Nextrom Oy:
- Höhe 12 m
- Preformdurchmesser 10 - 50 mm
- Faserdurchmesser 80 µm - 10 mm
- Liniengeschwindigkeit 0,1 - 400 m/min
- Beschichtungsmaterialien: Zweischicht-Acrylat, Polyimid
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Dr. Michael Steinke, michael.steinke@hitec.uni-hannover.de
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Glas-3D-Druck-Anlage
Die "Glas-3D-Druck-Anlage" stellt ein Forschungsgroßgerät dar, welches die additive Fertigung von Glasobjekten mittels laserbasierten Faserauftragsschweißverfahren ermöglicht. Darüber hinaus ist die Laseranlage in der Lage, Glashalbzeuge zu fügen, sowie die Oberfläche mittels Laserstrahlung zu veredeln, beispielsweise durch Glättung. Der Einsatz einer Heizplatte erlaubt zudem die Verwendung verschiedenster Glassorten.
Technische Daten
- 3 lineare Achsen mit zusätzlicher Dreh- und Kippeinheit
- absolute Positioniergenauigkeit: 50 µm
- Verfahrgeschwindigkeit: 100 mm/s
- Faserfördergeschwindigkeit bis zu 4000 mm/min
- min. Faserdurchmesser 0,2 mm
- Galvanometerscanner
- Heizplatte max. Temperatur 600°C
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Khodor Sleiman, K.Sleiman@lzh.de
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Herstellung von Vorformen für optische Fasern
"Modified Chemical Vapor Deposition" (MCVD)-Anlage mit Chelat-Dotiersystem zur Herstellung von Siliziumdioxid-Lichtwellenleiter-Vorformen, Lumentum d.o.o., CVD-08 mit CDS-03:
- 4x Bubbler für flüssige Precursoren
- 4x Hochtemperatur-Sublimatoren
- Scanning-Pyrometer
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Dr. Michael Steinke, michael.steinke@hitec.uni-hannover.de
Matthias Ließmann, liesmann@iqo.uni-hannover.de -
Hochpräzises optisches Montagesystem: Ficontec
Technischte Details
- Mikromontageanlage für Handling, Charakterisierung und Montage kleinster optischer und photonischer Komponenten ab 250 µm Kantenlänge
- Wafer Handhabung bis zu 6“ bzw. 4“
- Positioniergenauigkeit von bis zu 50 nm bzw. 1 µm
- Vollautomatisierbarer Prozessablauf möglich
- Aktive und passive Justage von Komponenten und deren Montage
- Aufbau- und Verbindungstechnologie mittels Klebeprozessen
- Mikrodispensierprozesse
- Optische Leistungsmessung am Freistrahl und fasergekoppelt
- Optische Strahlcharakterisierung
- Spektrale Charakterisierung
- Weißlichtkonfokal-Mikroskopie zur geometrischen Charakterisierung im Assemblierungsprozess
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Dr.-Ing. Gerd-Albert Hoffmann, G.Hoffmann@lzh.de
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Ionenstrahlätzen - Commonwealth Scientific Corporation
Das Ionenstrahlätzen (Ion Beam Etching - IBE) dient zur Entfernung und Strukturierung von dünnen Schichten. Bei dem Verfahren handelt es sich um ein Trockenätzverfahren. Der Materialabtrag erfolgt rein physikalisch durch das Auftreffen von hochenergetischen Teilchen auf eine Werkstoffoberfläche. Am IMPT wird eine Ionenstrahlanlage der Firma Commonwealth Scientific Corporation eingesetzt.
Technische Details
- Ionenstrahlätzen von 4“-Substraten
- Ätzgase: Cl, BCl3, CF4, SF6, O2, N2, Ar
- Ladungssicherung
- Endpunkterkennung
- Leistung variabel
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Folke Dencker, dencker@impt.uni-hannover.de
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Ionenstrahlätzen - Leica EM TIC 3X
Technische Details
- Präparation/Polierung von Substratkanten auf einer Kantenlänge von 4mm
- Maximaler Abtrag 100 µm
- Basierend auf Argon Ionen Sputter-Prozess
Kontakt
Dr. Moritz Hinkelmann, m.hinkelmann@lzh.de
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Ionenstrahl-Sputtern
Technische Details
- Ionenstrahlsputteranlage für die Herstellung von komplexen optischen Dünnschichtsystemen
- Prozessierung von Substratgrößen von bis zu 6“
- Abscheidung von SiO2, TiO2 und Ta2O5
- Hochauflösendes Breitband Monitoring System mit bis zu 0,1 nm Auflösung in einem Wellenlängenbereich von 420 nm bis 1680 nm
- Automatische Sputtertarget-Wechseleinrichtung
- 16 cm Veeco Plasmaquelle
Kontakt
Dr.-Ing. Gerd-Albert Hoffmann, G.Hoffmann@lzh.de
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Konfokales Raman Mikroskop WITec alpha300 apyron
Mit dem alpha300 apyron von WITec steht dem IMPT ein hochautomatisiertes konfokales Raman Mikroskop für High-end Spektroskopie-Anwendungen und konfokalem Raman-Imaging zur Verfügung.
Technische Details
- Motorisierter 6-fach Objektiv-Revolver
- Köhlerbeleuchtung (Hellfeld) mit motorisierter Feld- und Aperturblende
- Hubtisch mit 5-Phasen-Schrittmotor mit 10 nm Schrittweite
- Motorisierter x-y-Probenpositionierer mit 25 nm Schrittweite
- Motorisierter Kamerakoppler und Multiwellenlängen Lasereinkoppler
- Motorisierter Multi-Output Koppler mit AutoBeam Output Adjustment Unit (OAU)
- Kalibrierquelle zur automatischen Spektrometerkalibrierung
- EasyLink Controller für einfache und intuitive Bedienung
- 405 nm Diodenlaser (Klasse 3B) mit LP Raman-Filter, LL-Filter und TruePower
- 532 nm DPSS-Laser (Klasse 3B) mit LP Raman-Filter, LL-Filter und TruePower
- 633 nm Diodenlaser (Klasse 3B) mit LP Raman-Filter, LL-Filter und TruePower
- Ultra-High-Throughput-Spektrometer UHTS600 mit 3-fach Gitterhalter
- Spektroskopische Gitter mit 300, 1800 und 2400 Linien/mm
- Hochempfindliche BI-EMCCD-Kamera mit bis zu 1300 Spektren/s
- Objektiv 10x von Zeiss EC Epiplan DIC mit 0,25 NA
- Objektiv 50x von Zeiss EC Epiplan DIC mit 0,75 NA
- Objektiv 100x von Zeiss EC Epiplan-Neofluar DIC mit 0,90 NA
- Objektiv 10x von Zeiss EC Epiplan-Apochromat mit 0,95 NA
- Streulichtschutz mit codierten Magnetschaltern für LSK 1M Betrieb
- Antibunching-Erweiterung mit MultiHarp, zwei APDs, Auskopplern, Strahlteiler, Filterschiebern und zusätzlichen optischen Lichtleitern
- Oxford Microstat He2 für Temperaturen von 3,2 K bis 500 K
- WITec Control und Project FIVE Softwarepaket
- TrueMatch Software-Erweiterung zur Datenbank-Verwaltung
- High-Performance PC für die Datenerfassung
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Folke Dencker, dencker@impt.uni-hannover.de
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Laserbearbeitungsanlage - Lightfab 3D Printer M
Die Lightfab 3D ist eine Laserbearbeitungsanlage für das Laser-Strukturieren, Laser-Schweißen und laserinduzierte selektive Ätzen zur Herstellung skalierbarer technischer Systeme. Die Lightfab 3D ermöglicht die makroskopische Bearbeitung in Form von Trennen und 3D-Strukturierung durch lokale Ablation. Zudem können 3D-Strukturen mit einem zweistufigen Prozess subtraktiv mit einer Präzision von ~1 µm gefertigt werden. Aufgrund der hohen Energiedichte im Fokuspunkt wird hier die Ätzeigenschaften des Materials durch die präzise Belichtung mit dem fs-Laser zunächst lokal modifiziert. Im Anschluss können die belichteten Strukturen mittels eines nasschemischen Ätzprozess im Ultraschallbad selektiv entfernt werden. Darüber hinaus ist das hermetische Fügen von optisch transparenten peripheren Komponenten möglich.
Technische Details
- Laser mit einer Wellenlänge von 1030 nm
- Belichtungsbereich XY: 200 x 200 mm²; Z: 150 mm²
- Präzision: XY: 150 nm; Z: 1 µm
- Pulsdauer: 400 fs bis 5 ps
- Frequenz: 100 kHz bis 10 MHz
- Pulsenergie: > 15 µJ ab 500 kHz
- Materialien: u.a. Diamant, Quarzglas, Borosilikatglas, Saphier
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Folke Dencker, dencker@impt.uni-hannover.de
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Laser Induced Forward Transfer: Mühlbauer DDA 40000
Technische Daten
- Direct-Die-Attach Anlage
- Die-Bonder für die Direktbestückung von Flexiblen Substraten mit Bare Dies
- Fixierung mit dispensierten leitfähigen Klebstoffen
- Kamerabasierte Positionserfassung der Dies
- Forschungsanlage zur Bestückung mittels LIFT (Laser Induced Forwards Transfer), somit Prozesszeiten bis zu 100.00 Chips/h möglich
- Kontaktfreie Montage von Bare Dies direkt aus dem Wafer
- Kontaktloses Bonden von Chips mittels LIFT
- Zusätzlich ausgestattet mit einem Coherent Laser AVIA355-23 (Laserleistung: 23 W, Pulsdauer: 40 ns, Wellenlänge 355 nm; Pulsenergie 250 µJ)
Kontakt
Andreas Evertz, andreas.evertz@ita.uni-hannover.de
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Laser-Lithographie
DWL 400 von Heidelberg Instruments zum Hochgeschwindigkeits-Direktlaserschreiben auf 400x400 mm² großen Substraten mit einer UV-Diodenlaserquelle
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Laser-Nanofabrikation - Femtika
Technische Daten
Laser-System
- Wellenlänge: 1030 nm oder 515 nm
- Repetitionsrate: Einzelschuss - 1 MHz
- Maximale Durchschnittsleistung: 10 W
- Verfahrbereich des Tisches: 100 mm x 160 mm x 160 mm
- Unendliches Sichtfeld - Stichfreie Fertigung
Mehrphotonen-Polymerisation
- Drucken von Polymerstrukturen mit einer Strukturgröße von ~200nm
- Mögliche Materialien: SZ2080, SU-8, Ormocers, Glassomer, hybride organisch-anorganische Photopolymere, Elastomere,...
Selektives Laser-Ätzen
- Ermöglicht die subtraktive Strukturierung von Glas (Quarzglas, Saphir,...)
- Kleinste Strukturgröße ~1 µm
Andere Mikrofabrikation
- Änderung des Brechungsindexes von transparenten Materialien
- Mikro-Ablation
- Strukturierung von Oberflächen
- Mikro-Schweißen
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Dr. Axel Günther, axel.guenther@hot.uni-hannover.de
Dr. Lei Zheng, lei.zheng@hot.uni-hannover.de -
Molekularstrahlepitaxie (MBE): Createc MiniMBE System Typ RS2-M-8-FS
Createc MiniMBE System Typ RS2-M-8-FS
Technische Daten
- Molekularstrahlepitaxieanlage für die Herstellung von epitaktisch gewachsenem Lithiumniobat
- Loadlock für Substratgrößen bis zu 1“
- 3-Achs-Substratmanipulator
- Quartzmonitor zur Schichtdickenbestimmung
- RHEED Analyse zur Bestimmung der Kristallinität
- Geeignet für reaktive Beschichtung mit Sauerstoff
- Schleusenkammer, Cold-Lip Effusionszelle, Plasma Cracker Quelle, TUBO Hochtemperatur Effusionszelle, DFC Verdampfer
Kontakt
Dr. Andreas Wienke, a.wienke@lzh.de
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Optisches Metrologiesystem: Sensofar – S neox
Technische Daten
- Aktive Vibrationsisolierung
- Lichtquelle basiert auf 4 LEDs bei 630nm, 530nm, 460 nm und 575 nm
- Verschiedene Messmodi:
- Fokus-Variation
- Konfokaler Modus (axiale Auflösung ~1nm)
- Weißlicht-Interferometrie
- Dünnschichtmessung (50nm - 1,5µm)
- AFM-Kopf kann anstelle des Objektivs installiert werden
- Scanbereich: 110 µm x 110 µm x 20 µm (XYZ)
- Auflösung:
statischer Modus ~350 pm
Dynamischer Modus ~90 pm
Kontakt
Dr. Axel Günther, axel.guenther@hot.uni-hannover.de
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Polykristalliner Diamant MWCVD
SEKI SDS6k: bis zu 12", Gase CH4, H2, O2, N2, in situ Pyrometer und Interferometer
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Präzisionsfräsen: Kern Micro HD
Technische Daten
- Maschinenhersteller: KERN Microtechnik GmbH
- Steuerung: Heidenhain TNC 640
- Baujahr: 2022
- Werkzeugaufnahme: HSK-32E
- Werkzeugwechsler: 102-fach
- Spindel: Hochfrequenzspindel MFW1224
- Max. Spindelleistung: 14 (S1); 16,6 (S6, 40%) kW
- Max. Spindeldrehzahl: 42.000 min-1
- Max. Drehmoment: 6 Nm (S1), 7,5 Nm (S6, 40%)
- Arbeitsraum: 350 x 220 x 250 mm
- Drehachse: 360° endlos/ 200 min-1
- Schwenkachse : 220°
- Max. Verfahrgeschwindigkeit: 60 m/min
- Beschleunigung: 20 m/s2
- Erweiterungen: Schwenk-/Rundtisch mit Nullpunktspannsystem
Kontakt
Talash Malek, Malek@ifw.uni-hannover.de
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Reaktives Ionenstrahlätzen RIBE - Scia Mill 150
Durch das Ionenstrahlätzen lassen sich homogene und reproduzierbare Strukturierungen von Materialien erzeugen. Durch das Hinzufügen von reaktiven Gasen wird aus dem rein physikalischen Ionenstrahlätzen, die Kombination eines chemischen und physikalischen Ätzverfahrens. Ein Einsatzgebiet des reaktiven Ionenstrahlätzens (REAKTIVE ION BEAM ETCHING – RIBE) ist die Strukturierung von Mikrosystemen.
Technische Details
- Bearbeitung von 4“ und 6“ Wafern
- Substratrotation 1 bis 20 U/min, Halter kippbar in-situ von 0° bis 165°
- Optische Endpunktdetektion
- Vorhandene Reaktivgase: Sauerstoff, Chlor, Bortrichlorid, Schwefelhexafluorid, Tetrafluormethan
- Neben IBE, RIBE ebenfalls CAIBE möglich
Kontakt
Folke Dencker, dencker@impt.uni-hannover.de
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Röntgenphotoelektronenspektroskop (XPS)
Röntgenphotoelektronenspektroskop (XPS) zur zerstörungsfreien Bestimmung der chemischen Zusammensetzung vor allem von Festkörpern bzw. deren Oberfläche.
Austattungsmerkmale:
- PHI Versaprobe III Scanning ESCA
- Heiz- und kühlbare Probenkammer
- UPS Option
- LEIPS Option
- Scanning Auger Option
- Gas Cluster Ionenquelle
Kontakt
Dr. Andreas Schaate, andreas.schaate@acb.uni-hannover.de
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Semi-automatisches Drahtbondsystem: 56i der Firma F&S BONDTEC
PhoenixD verfügt über ein semiautomatisches Drahtbondsystem vom Typ 56i der Firma F&S BONDTEC. Es zeichnet sich durch die hohe Flexibilität der wechselbaren Bondköpfe aus, die für alle Drahtbond- und Testverfahren geeignet sind. Es ermöglicht vollautomatisches Bonden mit manuellem Bauteilwechsel und bietet die Möglichkeit, Bondprogramme zu speichern. Die anpassungsfähigen Bondeinstellungen erlauben Feinabstimmungen an Loopformen sowie Kraft- und Leistungsprofilen. Zudem verfügt das System über eine äußerst leistungsstarke automatische Bilderkennung und eine innovative, intuitiv programmierbare Bonder-Software. Der Bondkopf kann ausgetauscht werden, um unterschiedliche Drähte und Verfahren zu nutzen. Derzeit ist ein Ball-Wedge und ein Dünndraht Wedge-Wedge Kopf verfügbar.
Technische Daten
- Verfahrwege von 100 x 100 mm
- Gold-Ball-Bonden für Drahtstärken von 12 bis 50 µm mit Standard-Kapillaren von 16 mm bis 19 mm
- Wegde-Wedge-Bonden mit 1″ Tools für Aluminium- und Golddrähte von 12 bis 75 µm Stärke
- Platziergenauigkeit von ± 5 µm
- Digitaler Ultraschallgenerator (67 kHz, max. 45 W) für beliebige Bondfrequenzen
- Bumping, Safety-Bump, Stitch-on-Ball
Kontakt
Andreas Evertz, andreas.evertz@ita.uni-hannover.de
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UV-Nanoimprint-Lithographie EVG620NT
EVG620NT Top Side Nano Imprint Lithography System
Hochpräzise Reproduktion von 2D- und 2,5D-StrukturenTechnische Daten
- Enthält 3 UV-Lichtquellen (365nm, 405nm und 436 nm)
- Integriertes Maskenausrichtungssystem mit einer Genauigkeit von ~100nm
- Handhabung von Wafern bis zu 6“
- Kontakt-Modus / Soft-Kontakt-Modus und Proximity-Modus verfügbar
- Ermöglicht Vakuum- Prägung
- Ermöglicht lithografische und Prägeprozesse
Kontakt
Dr. Axel Günther, axel.guenther@hot.uni-hannover.de
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Wellenleiter-Metrologie: Mehrkanal-Lasercombiner
Mehrkanal-Laser-Combiner als Quelle mit 6 verschiedenen Wellenlängen: Auf der Einkoppelseite steht eine Weißlichtquelle und eine Kamera zur besseren Justage zur Verfügung. Die entsprechenden Strahlen werden kollimiert und bei Bedarf überlagert. Zur Einkopplung in die Probe werden Objektive mit einem großen Arbeitsabstand und einer Vergrößerung von 10x, 20x, 50x und 100x verwendet. Auf der Auskoppelseite werden identische Objektive verwendet um das transmittierte Licht zu kollimieren. Danach wird der Strahl durch entsprechende Strahlteiler auf die gewünschten Detektoren, wie z.B. Kamera, Photodioden, Spektrometer, ..., aufgeteilt.
Technische Daten
- Mehrkanal-Laserkombiner für 405 nm, 450 nm, 520 nm, 561 nm, 633nm und 785nm
- 50 mW- 100 mW Ausgangsleistung
- Mehrere Objektive für Vergrößerungen von 5x bis 100x
- kleinste Spotgröße 1,7 µm
Kontakt
Dr. Axel Günther, axel.guenther@hot.uni-hannover.de
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Zwei-Photonen-Polymerisation
Technische Daten
- 3D Druck von Photopolymeren mit Photonic Professional GT2 (Nanoscribe)
- 63x NA 1.4 oder 25x NA0.8 Immersionsobjektiv zum fokussieren des Laserstrahls (@780 nm) in das Photopolymer
- Max. Objektgröße: 100 x 100 x 8 mm³
- Min. Oberflächenrauhigkeit: < 20 nm
- Max. Scangeschwindigkeit: 100 - 625 mm/s
- Auflösung bis zu 150nm
- Typische Substrate Quarzglas, Borosilicatglas oder Silizium; individuelle Substrate möglich
- Multi-Materialdruck möglich durch Heteromerge Erweiterung
Kontakt
Dr. Moritz Hinkelmann, M.Hinkelmann@lzh.de
Großgeräte in Planung
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Aktives Faser-Thulium-Lasersystem
Aktives Faser-Thulium-Lasersystem: >0,5 kW, <30 fs, >1016 W/cm², 100 kHz, 2000 nm
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AML Aligner Wafer Bonder Rock
Probengröße: Chip-Level bis Wafer-Größe 200mm, in situ radikal-aktiviertes Bonding, Dampf-Injektion, Ultra-Hoch-Vakuum-Bonden, in situ Alignment, max Temperatur >500°C, anodisches Bonding, UV-Bonden
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Inline Produktions Anlage
- Kombination von Prozesstechnik und Metrologie im atmosphärischen Umfeld oder Vakuum in einer Anlage
- Mover bewegen sich reibungsfrei durch die Anlage
- Präzise Steuerung mit 6 Freiheitsgraden
- Platzierung der Probe mit einer Genauigkeit von bis zu 1µm
Prozesstechnik:
- Pick & Place
- Mikrodispenser
- UV-Belichter
- Nanoimprint
- Laser strukturierung
- Sputtertechnik (Vakuum)
Metrologie:
- Lichtmikroskop mit 1000x Vergrößerung
- Ellipsometer
Kontakt:
- Prof. Dr. Wolfgang Kowalsky, Wolfgang.Kowalsky@ihf.tu-bs.de
- Dr. Axel Günther, axel.guenther@hot.uni-hannover.de
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Ion Beam Wafer Trimmer
SCIA TRIMM 200: Probengröße: bis zu 200 mm Wafer, Ätzgase: Ar, O2 und Halogenide, Ätzen von Inhomogenitäten in optischen Schichten mit Angström-Präzision
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Photonischer Drahtbonder
Vanguard Automation GmbH (ein Mycronic Unternehmen) - SONATA1000 Serie
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Rechensystem (GPU)
Hybridarchitektur aus vier schnellen H100-GPUs und sechzehn A100-GPUs für große Datenmengen, doppelte Genauigkeit
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TRUMPF Hochleistungs-Lasersystem
TRUMPF Hochleistungs-Lasersystem: >2 kW, <30 fs, >1017 W/cm², 100 kHz, 1030 nm, mit Röntgenstralen betriebenes Lasersystem, bereits mit dem Gebäude bewilligt